本發明公開了一種中等孔徑多孔硅基氧化鋅薄膜復合材料氣敏傳感器及其制備方法和應用,由中等孔徑多孔硅基底、Pt膜電極、中等孔徑多孔硅基氧化鋅敏感層和Pt電極組成,所述的中等孔徑多孔硅基氧化鋅敏感層由中等孔徑多孔硅層和恒電位電化學沉積在其上的氧化鋅薄膜組成。本發明通過在中等孔徑多孔硅基底制備歐姆接觸電極,然后利用電化學法在中等孔徑多孔硅上原位生長ZnO薄膜的方法較為簡單,所需控制的工藝條件較少,成本低廉;構造n?n型異質結結構,可在室溫下探測低濃度二氧化氮氣體,具有靈敏度較高、響應/恢復性能較好、選擇性和重復性好的特點。
聲明:
“中等孔徑多孔硅基氧化鋅薄膜復合材料氣敏傳感器及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)