本發明公開了一種理想二維費米液體系統Bi2O2Se單晶,屬于電子材料領域。本發明所述的Bi2O2Se單晶的晶體結構為四方晶系,空間群為I4/mmm(139)。采用化學氣相輸運法(升華法)和凝固析晶法均可制備得到Bi2O2Se單晶。兩種方法生長的Bi2O2Se單晶均呈片狀,晶體的尺寸范圍為毫米級,純度高、化學成分均勻性好。在2K到300K的寬溫度范圍內,實驗測得的Bi2O2Se晶體的電阻率與溫度平方(T2)呈正比關系,符合費米液體理論,Bi2O2Se單晶是一種理想二維費米液體系統。此外Bi2O2Se晶體的電子遷移率分別大于等于2.24×105cm2V?1s?1(2K)和300cm2V?1s?1(300K),并且在空氣中具有良好的穩定性,因此在未來電子器件領域具有良好的應用前景,同時其生長方法簡單,成本低廉,有利于工業化生產。
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