本發明涉及氧化亞銅電沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜上的復合材料的制備方法。該方法包括:將乙酸銅、去離子水置于反應容器中攪拌,再向反應容器中加入乙酸鈉,并將反應容器移至水浴中繼續攪拌得到電解質溶液;將氧化鈦納米片陣列薄膜作為電沉積過程中的工作電極,在所得電解質溶液中進行電沉積過程得到Cu2O/TiO2納米片陣列薄膜復合材料。通過本發明方法氧化亞銅被成功沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜的表面,得到Cu2O/TiO2納米片陣列薄膜復合材料,該材料經測試光電流是未沉積氧化亞銅樣品的7.1倍,具有很高的光電化學增強效應,在太陽能電池、環境催化凈化、光電化學能儲方面具有潛在應用價值。
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