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氮硅雙修飾石墨烯量子點固態膜的制備方法

746   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:20:19
本發明公開了一種氮硅雙修飾石墨烯量子點固態膜的制備方法。該方法以射頻等離子體增強化學氣相沉積技術作為石墨烯量子點固態膜生長方法,以高純乙烯作為石墨烯量子點生長的碳源氣體,以硅烷混合氣和高純氮氣分別為石墨烯量子點的生長提供硅元素修飾和氮元素修飾。相對于目前常用的石墨烯量子點制備方法,如電化學法、水熱法、酸氧化法、溶液化學法以及微波超聲等方法,該方法的突出優點是石墨烯量子點不是以液態和膠體態的形式存在,而是以固態膜的形式存在且制備工藝同傳統半導體工藝相兼容。本發明所提出的這種氮硅雙修飾石墨烯量子點固態膜的制備方法能使石墨烯量子點在太陽能電池、光電探測器以及發光二極管等半導體器件中得到很好的應用。
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“氮硅雙修飾石墨烯量子點固態膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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