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晶圓級III-VI族化合物薄膜材料、制備方法和應用

1029   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:20:18
本發明屬于可見光通信用光電探測器技術領域,公開了一種晶圓級III?VI族化合物薄膜材料、制備方法和應用,本發明的晶圓級III?VI族化合物薄膜材料包括包括絕緣襯底層,以及絕緣襯底層上依次疊層設置的III?VI族化合物薄膜層和電極層;III?VI族化合物薄膜層的化學式為In2X3,且其通過以下步驟設置于絕緣襯底層上:在絕緣襯底層上蒸鍍一層In金屬層;隨后,采用化學氣相沉積法,以X粉末為前驅體,將In金屬層反應形成In2X3,即獲得III?VI族化合物薄膜層;其中,X為硫族元素。本發明結合了電子束蒸發鍍膜和化學氣相沉積技術、制備了晶圓級III?VI族化合物薄膜材料。本發明的方法簡單,易于操作。
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