本發明提供了一種通過簡單的光化學摻雜電子手段,實現常規半導體量子點(CdSe QD)中熱載流子壽命顯著延長的獨特方法?;贑dSe QD材料體系,改變量子點導帶中摻雜電子的程度,利用超快瞬態吸收光譜儀,系統研究了不同電子光摻雜程度對CdSe QD中熱電子馳豫時間的影響,通過分析對比獲取的動力學譜圖和相關動力學參數,發現QD中電子摻雜程度較低時(
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