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半導體器件制造中用以對稱沉積金屬層的方法

1101   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:36:48
本發明涉及一種用以對稱地沉積金屬層于金屬層定位鍵上的方法,其包括使用金屬有機化學氣相沉積工藝(MOCVD)以形成此金屬層。對稱金屬層形成之后,金屬層定位鍵可被準確地檢測,且可改善此金屬層定位鍵覆蓋結構的位移現象。
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“半導體器件制造中用以對稱沉積金屬層的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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