公開了電容器結構及其形成方法以及半導體裝置及其制造方法。所述電容器結構可以包括位于基底上的下電極、位于基底上的介電層以及位于介電層上的上電極。下電極可以包括具有化學式M1Ny(M1是第一金屬,y是正實數)的金屬氮化物。介電層可以包括金屬氧化物和氮(N),金屬氧化物具有化學式M2Ox(M2是第二金屬,x是正實數)。介電層中的氮(N)的檢測量的最大值可以比下電極中的氮(N)的檢測量的最大值大。
聲明:
“電容器結構及其形成方法、半導體裝置及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)