本發明屬于先進碳材料和半導體工藝技術領域,特別涉及一種大面積單晶石墨烯的簡便、穩定的制備方法,適用于毫米級單晶石墨烯的制備。本發明在1000℃下以甲烷(CH4)為碳源、氫氣為還原性氣體利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)法生長單晶石墨烯。本發明無需對銅箔進行丙酮、乙醇等超聲處理,無需采用復雜的電化學方法對銅箔進行拋光等預處理過程,也無需長達數小時、高氫氣流量的退火過程,只需要在升溫之前抽盡反應器中的空氣并保證在升溫過程中沒有氣體通入,通過這一簡便處理方法可以大幅度降低石墨烯在銅箔上的成核密度,且只需通過2-3小時的生長時間即可以生長出對邊距離達到1mm大小的單晶石墨烯。樣品經掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、拉曼光譜分析(Raman)等手段表征證明為單晶石墨烯且具有較少的缺陷。
聲明:
“毫米級單晶石墨烯的簡便制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)