一種從日盲紫外到近紅外的寬波段探測器的制備方法,屬于光電探測技術領域。本發明的目的是為了解決現有寬光譜探測器存在不同材料之間晶格失配大、質量低、響應速度慢等問題,所述方法為:在藍寶石襯底上沉積Ga2O3薄膜,薄膜厚度不小于300nm,通過化學氣相沉積法在藍寶石基底上制備厚度為3nm?6nm的二維拓撲絕緣體材料,將所述二維拓撲絕緣體材料通過濕法轉移的方法轉移至Ga2O3上表面,Ga2O3和二維拓撲絕緣體材料之間形成范德華異質結;利用電子束沉積的方法在二維拓撲絕緣體材料表面依次沉積Ti電極和Au電極。本發明采用范德華異質結,通過轉移的方法形成異質結,而不是外延方法,克服了Ga2O3和Bi2Se3之間晶格失配而導致質量下降等問題。
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