本發明涉及一種直接轉換的X射線探測器的半導體元件的制造方法,其中在半導體層(HL)上將至少一個中間層(ZS1-ZS3)和至少一個接觸層(KS)以分別從溶液中無電流地化學沉積接觸材料的方式施加到暴露的中間層上。根據本發明這樣選擇用于各個層的材料,使得至少一個中間層(ZS1-ZS3)的材料的電化學勢大于半導體層(HL)的至少一個元素的電化學勢,并且接觸層(KS)的接觸材料的電化學勢大于中間層(ZS1-ZS3)的材料的電化學勢。屬于本發明的范圍的還有:根據之前描繪的方法制造的用于直接轉換的X射線探測器的半導體元件、具有這種半導體元件的X射線探測器、具有這種X射線探測器的X射線系統以及具有這種X射線探測器的CT系統。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)