本發明屬于電分析化學領域,公開了一種用介孔SiO2修飾碳糊電極同時測定厚樸酚及和厚樸酚的方法,所述方法包括如下步驟:合成介孔SiO2,介孔SiO2修飾碳糊電極的制備,樣品的制備,厚樸酚及和厚樸酚的測定。本發明使用介孔二氧化硅修飾電極來研究和厚樸酚與厚樸酚的氧化行為并建立同時測定和厚樸酚與厚樸酚的電分析化學新方法,簡便快捷,選擇性強,在現有報道中未曾出現,具有重要的現實意義。
聲明:
“用介孔SiO2修飾碳糊電極同時測定厚樸酚及和厚樸酚的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)