本發明公開了一種光調制太赫茲分子檢測器件的制備方法,此方法利用簡單的化學組裝、氣液界面分離、熱力學調控,通過燒結溫度和時間調控,得到了無缺陷的石墨烯薄膜結構。此薄膜具有極低缺的陷態結構,一方面具有良好的面電阻(10?30Ω/□),另一方面具有極好的光學響應性。將此薄膜貼附于石英表面并進行圖案化,至于太赫茲光下,隨著表面滴加分子濃度的增加,太赫茲透射光譜峰位會隨之變化,因此可以制備成太赫茲分子檢測器件,用于檢測分子殘留。
聲明:
“光調制太赫茲分子檢測器件的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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