本發明提供了一種鍺的化學機械拋光方法,該方法包括以下步驟:a.提供待拋光的晶圓,該晶圓具有生長完成的鍺溝槽,鍺溝槽之間為測量隔離區;b.確認鍺溝槽與測量隔離區齊平的最低圖形密度ρ;c.在晶圓上圖形密度小于等于ρ的鍺溝槽上涂覆光刻膠;d.對未被光刻膠覆蓋的區域進行離子注入處理;e.去除光刻膠;f.對所述晶圓進行化學機械拋光。本發明在完成外延生長單晶Ge溝槽后,選擇性的對高密度圖形區的凸起Ge溝道進行離子注入,然后再進行Ge的CMP,提高CMP過程中對高密度去凸出部分的材料移除速率。這樣可以避免因圖形密度不同而造成Ge材料移除速率的差異,從而改善Ge溝道CMP后的局部均勻性。
聲明:
“鍺的化學機械拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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