本發明涉及改良西門子法多晶硅生產中,廢棄氯硅烷的回收方法,屬于多晶硅生產領域。包括以下步驟:1)收集廢棄氯硅烷輸送到儲液罐:2)儲液罐中的廢棄氯硅烷輸送到蒸發器中;3)蒸發器加熱:加熱至30-180℃使蒸發器內氯硅烷汽化生產氯硅烷蒸汽,蒸發器中的殘留液進行水解處理;4)汽化后的氯硅烷蒸汽與濕氣反應,雜質反應生成高沸物;5)氣體回收:氣體經氣-固分離除去微量固體雜質,冷凝回收氯硅烷。采用本發明方法能夠將生產過程中被污染的和雜質含量高的氯硅烷雜質去除,達到改良西門子法生產多晶硅工藝中氯硅烷原料雜質含量要求,且成本低、環保,不需額外設備。
聲明:
“改良西門子法生產多晶硅中廢棄氯硅烷的回收方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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