本發明提供了一種干法清洗多晶硅還原爐的方法,將多晶硅還原爐與等離子體發生器相連,使等離子體發生器產生的等離子體在設定的溫度和壓強條件下與多晶硅還原爐鐘罩內壁沉積的硅薄膜反應,同時實時監測反應產物的成分變化,并通過吹掃抽離反應產生的氣體產物,達到清洗多晶硅還原爐的目的。本發明提供的方法克服了現有技術的不足,大大簡化了清洗工藝流程,實現全自動化操作,大幅降低了多晶硅還原工藝整體設備投入和建設周期與成本,同時能夠完全避免廢酸、廢堿、廢水和廢氣等的排放,起到節能和環保的作用。
聲明:
“干法清洗多晶硅還原爐的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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