本發明是有關一種寬溫低鉻酐鍍鉻添加劑及其 制備,其特征在于由氟化稀土和氟硅酸鈉混合組成, 其制備工藝是按一定量的氧化稀土(鐠釹富積物)進 行溶解、沉淀、過濾洗滌、反應、研磨、再過濾洗滌、烘 干,按比例1.5~2.3∶1加入氟硅酸鈉經混合均勻即 成。本發明電流密度范圍為5~30A/dm2,電流效 率高為22%以上,溫度范圍為17~55℃,鍍層一次 合格率達95%以上。降低廢水中排鉻含量60~ 70%,節水、節電。
聲明:
“寬溫低鉻酐鍍鉻添加劑” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)