本發明涉及一種電阻可控的碳化硅陶瓷及其制備方法,屬導電陶瓷材料領域。電阻可控碳化硅陶瓷原料包括:SiC粉、B4C粉、鈦源、碳源、TiB2粉,質量比為(40?80):(8?30):(20?70):(15?60):(25?55);本發明還提供了其制備方法,包括配料、過篩造粒、模壓成型、干燥、燒結;本發明在SiC原料中直接或間接引入TiB2高導電陶瓷成分,使制得的SiC復合陶瓷材料具有電阻可控、抗氧化、硬度高、耐磨損、高熱傳導率、低熱膨脹系數、抗蠕變等性能,在電子信息穿戴產品、工業廢水電催化氧化處理、燃料電池電極、高鐵受電弓等領域具有非常大的實用前景。本發明具有工藝簡單、設備要求度低、生產成本低、便于批量化生產的優點。
聲明:
“電阻可控碳化硅陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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