本發明公開了一種硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜的制備方法,包括以下步驟:(1)采用熱絲化學氣相沉積方法,在單晶硅襯底上制備厚度為300-600nm的單顆粒層納米金剛石薄膜;(2)采用離子注入方法,在步驟(1)中得到的單顆粒層納米金剛石薄膜中注入硼離子,得到硼離子注入的薄膜;(3)將步驟(2)中得到的硼離子注入的薄膜真空退火,即制得所述硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜。本發明制備的硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜,具有優異的電化學性能,特別具有較好的電化學催化性能,可用于有機廢水的電化學催化氧化處理中。
聲明:
“硼摻雜單顆粒層納米金剛石薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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