本發明提供了一種Ti/Co3O4涂層電極的制備方法,包括金屬基體鈦片的預處理及水熱法制備Co3O4涂層。制備的Co3O4涂層為n型半導體材料,具有較高的氧交換電位,較低的電阻,較快的電荷轉移速度,較大的活性面積,較高的羥基自由基形成效率。本發明的Ti/Co3O4涂層電極,制備方法簡單,結構穩定,難降解有機廢水的處理效率高效穩定,將其作為陽極與陰極處理染料廢水和焦化廢水,難降解有機污染物的去除效率分別為72.74%和76.85%。
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