本發明公開了一種暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法,采用簡單的回流法,制備成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄納米片,CdS納米片對角線尺寸為5~50nm、厚度為0.59~10nm。本發明操作簡單,成本低,重復性好,所制備的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片有望在光催化、太陽能電池、超離子導體、鋰離子電池和超級電容器等應用中體現增強的光電性能。
聲明:
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