一種二硫化鉬薄膜材料的制備方法,以MoS2靶材為原料,在氬氣和硫化氫混合氣體環境中,通過磁控濺射法在基底上制備MoS2薄膜,二硫化鉬薄膜材料的厚度為0.1-10.0μm。本發明的優點是:通過在磁控濺射技術使用Ar氣-H2S混合氣和基底加熱原位退火方式,可以保證MoS2薄膜實現均勻沉積并且S/Mo原子比保持在2∶1,增加濺射時間可以有效增加厚度,提高MoS2納米薄膜產量;該方法簡單快速,制備工藝簡單,厚度可控,方法薄膜便于控制,為其在光電池、鋰電池、固體潤滑劑和其他方面的廣泛應用提供了可能。
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