本發明屬于先進納米材料技術領域,具體為一種負載鈀單原子或鈀納米顆粒的限域碳材料及其制備方法。本發明方法包括利用氧化石墨烯(GO)的Zeta電位為負的特性,在其表面吸附端口電位為正的超分子化合物—瓜環。瓜環是一種特殊的超分子腔體(CB),其緊密包覆在GO表面后經高溫煅燒,CB形成具有特殊孔徑的N摻雜不定型碳,并且牢牢吸附在石墨烯片層上;同時GO經高溫煅燒后會含氧基團會斷裂,形成導電性良好的rGO。二者之間會形成限域界面,并在低溫條件下成功負載鈀納米顆粒及鈀單原子。本發明制備的材料應用在電化學催化、有機催化、生物傳感器、超級電容器、鋰離子電池等領域,均表現出了良好的性能。
聲明:
“負載鈀單原子或鈀納米顆粒的限域碳材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)