本發明提供一種歸中反應制備SiOx@C材料的方法及應用,該方法采用二氧化硅與硅粉發生歸中反應,在高溫保護氣的幫助下,調節反應溫度得到產物SiOx材料,通過噴霧干燥法進行碳包覆,得到高性能SiOx@C材料。該發明工藝不采用易燃易致爆的鎂熱還原法,直接采用市場上價格便宜的粗硅與低純度的二氧化硅粉末產生歸中反應,原料便宜易得,得到高質量SiOx@C材料。該發明得到的SiOx@C材料顆粒具有多孔結構,碳包覆均勻,倍率性能良好,可以應用到鋰電池負極材料領域。
聲明:
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