本發明公開了一種氮化硼納米片連續薄膜、其制備方法與應用。所述制備方法包括:在基底上覆設前驅物薄膜,之后在含氮反應氣氛高溫反應,制得所述氮化硼納米片連續薄膜;所述前驅物薄膜包括至少三種元素,其中的兩種元素分別為硼、氧元素,其余元素選自鋰、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鎵、銦、鋅、鈦和硅中的任意一種或多種的組合。本發明的制備方法可以直接在Si等基底上合成氮化硼連續納米片(即氮化硼納米片連續薄膜),無需金屬催化劑的參與,也無需任何轉移工序,工藝簡單可控,成本低廉,并且所獲的氮化硼納米片連續薄膜可直接作為石墨烯等二維納米材料的生長基底,進而利于構建石墨烯器件的襯底和/或柵極等,具有巨大的應用前景,能實現批量生產。
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