本發明提供一種晶閃干粒,其原料包括按重量份數計的如下組分:鋯英石0.3~8份、石英55~68份、硼酸18~45份、剛玉0~5份、堿金屬氧化物4~10份、碳酸鋰0.2~6份,鋯英石為侵入巖的副產物。本發明通過以侵入巖的副礦物鋯英石為原料制備晶閃干粒,由于該鋯英石的晶體呈四方雙錐、柱狀或板狀,其在顆粒之間會形成三叉晶界,而通過晶閃干粒晶界上的漫反射和三叉晶界上的反射協同,增強了反射特性,實現了不同角度的晶閃效果。本發明還提供一種晶閃陶瓷磚及其制備方法,該晶閃陶瓷磚由上述晶閃干粒制成,通過本發明制得的晶閃陶瓷磚在光照下具有良好的閃光效果,防污性能達到A級、耐磨性能好、斷裂模數大,且吸水率合格。
聲明:
“晶閃干粒、晶閃陶瓷磚及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)