本發明屬于集成電路制造產業的配套原材料生產技術領域,具體涉及一種碳硼烷含氟光引發劑及其制備方法和應用。首先將碳硼烷,無水四氫呋喃,正丁基鋰的正己烷溶液,4?碘苯甲醚和高錳酸鉀的吡啶溶液在氮氣保護裝置中反應制得雙羧基碳硼烷;將雙羧基碳硼烷與含氟光引發劑在DMF中進一步反應,在弱堿性縛酸劑的協助作用下,最終制得EUV光刻膠用碳硼烷含氟光引發劑。該光引發劑制備的光刻膠克服了傳統光刻膠儲存時間短、透光性差、分辨率低、殘留物難去除等問題,可進一步提升光刻膠的使用性能,在半導體材料、人工智能、5G手機等領域有巨大潛力,應用前景廣闊。
聲明:
“碳硼烷含氟光引發劑及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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