本發明涉及一種制備具有寬度為100nm或更小,特別是50nm或更小的硅納米線的方法,所述方法包括:在含硅層上沉積金屬膜,用濕方法處理所述金屬膜以產生在含硅層上具有間隙的相互連接的金屬網絡,并用金屬輔助蝕刻方法蝕刻所述含硅層以形成具有寬度為100nm或更小,特別是50nm或更小的硅納米線。本發明還涉及含有硅納米線的鋰離子電池、熱電材料、太陽能電池、化學和生物傳感器以及藥物遞送器件。
聲明:
“制造硅納米線的方法和包含硅納米線的器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)