本發明屬于MXene膜的技術領域,公開了一種具有垂直孔道結構的二維MXene膜及其制備方法。方法:(1)將MAX粉末在鹽酸與氟化鋰的作用下進行刻蝕,離心,洗滌,干燥,超聲分散,獲得MXene納米片溶液;(2)將MXene納米片溶液進行電泳沉積,取出,進行冷凍處理,干燥,獲得具有垂直孔道結構的MXene膜;電泳沉積的條件:電壓為1?36V,時間為10s?30min;所述冷凍處理的溫度為?196℃~?100℃。本發明的方法簡單,綠色環保,所制備的膜為具有垂直孔道結構,能夠加快分子的穿膜速率;本發明的膜在儲能、催化、光電材料、生物藥物、電磁屏蔽、吸波材料等領域具有廣泛的應用前景。
聲明:
“具有垂直孔道結構的二維MXene膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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