本發明公開了一種單面拋光超薄晶圓加工方法,包括如下步驟:首先將黏著介質涂布在第一片晶片的背面,另外一片晶片的背面與已經涂好黏著介質的晶片進行背對背黏合,形成一片復合晶片,復合晶片的厚度具有原本單面拋光晶片兩倍的厚度,然后使用雙面拋光工藝對復合晶片進行雙面拋光加工,加工完成后再將晶片之間的黏著介質去除。本發明可以完全免除傳統工藝需要再透過單面粗化的作法才能得到高平坦度的晶片水準,以達到高產出、工藝簡化、成本降低的目的,解決了傳統加工工藝無法達到鉭酸鋰(LiTaO3;LT)晶片厚度<200um,平坦度在5mm2<0.5um,PLTV>95%穩定產品品質要求,且加工效率低,工藝復雜,生產成本高的問題。
聲明:
“單面拋光超薄晶圓加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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