本發明提供一種具有高單原子負載量的碳材料、制備方法及其應用,該方法包括:利用空間限域法將具有單個原子的二茂化合物包裹在瓜環的腔體內,從而得到具有高單原子負載量的碳材料。本發明通過將二茂化合物包裹在瓜環的疏水空腔內限制了高溫下金屬的遷移以及提高了金屬遷移所需的能量,從而可阻止金屬團聚的發生。此外,由于瓜環本身富含氮元素,因此可將其作為不定型碳的碳源和優質的氮錨定位點,使得過渡金屬被錨定在材料中,進而可提高單原子形成的可能性。本發明的復合碳材料具有高單原子負載量、高穩定性和優異的電催化性能,將其應用于電化學催化、有機催化、生物傳感器、超級電容器、鋰離子電池等領域具有廣闊的應用前景。
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“具有高單原子負載量的碳材料、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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