本發明公開一種以微硅粉為Si源制備石墨基Si@C負極材料的方法,所述方法為:將微硅粉進行預處理,然后與鎂粉進行球磨混合、還原反應,再經酸洗、離心干燥,即得多孔晶體Si顆粒;將所制備的多孔晶體Si在配置好的PH為8.5的Tris緩沖溶液中與多巴胺均勻混合,使聚多巴胺沉積在Si顆粒的表面,對Si進行包覆,制備出Si@C核殼結構的復合體材料。該復合體材料擁有優異的電化學性能,具有較高的比容量、長循環壽命及高的容量保持率,穩定的循環壽命;碳層與其包裹的Si粒子的孔道結構,也為鋰離子的脫、嵌縮短了擴散距離與時間;包覆的碳層增強了Si的導電性;Si@C核殼結構也避免了電解液與Si直接接觸,形成不穩定的SEI膜。
聲明:
“以微硅粉為Si源制備石墨基Si@C負極材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)