合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 加工技術

> 純相In2S3半導體薄膜的硫化輔助電沉積制備方法

純相In2S3半導體薄膜的硫化輔助電沉積制備方法

721   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 23:35:24
本發明涉及一種純相In2S3半導體薄膜的硫化輔助電沉積制備方法,電解液中含有摩爾比為100:(2.5?10):(1?10):(40?100)的氯化鋰、氯化銦、亞硫酸鈉和硫代硫酸鈉,電解液的pH值介于2.5?3.75之間,電解液經攪拌后用電沉積法在氧化銦錫(ITO)玻璃基底上制備出了附著力良好的預沉積薄膜,然后將預沉積薄膜置于硫粉和惰性氣氛保護條件下于200?600°C下恒溫,得到純相高結晶性的In2S3半導體薄膜。本發明提供的方法在ITO玻璃基底上制備出純相In2S3半導體薄膜,適合作為薄膜太陽能電池的緩沖層材料。
登錄解鎖全文
聲明:
“純相In2S3半導體薄膜的硫化輔助電沉積制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
加工技術
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

赤泥綜合利用研究報告2025
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記
在线精品视频播放|无码 有码 国产18p|宅男精品一区在线观看|伊人色综合久久天天人手人婷|亚洲熟肥妇女BBXX