本發明公開了一種以石墨烯為骨架的硅碳薄膜負極及制備方法,屬于鋰離子電池領域。本發明所述的制備方法包括以下步驟:步驟1.在襯底上生長垂直石墨烯骨架;步驟2.將生長的垂直石墨烯骨架進行等離子處理;步驟3.在經步驟2處理后的垂直石墨烯骨架上生長硅材料。本發明設計科學,方法簡單,操作簡便。本發明創造性地先在襯底上生長垂直石墨烯,而后再在垂直石墨烯骨架上生長硅材料,從而可以將疏松的硅薄膜嵌入到垂直石墨烯片層之間形成硅碳負極,能很好地克服硅負極材料的問題,并且可以充分發揮垂直石墨烯的面內導電性能,提高離子嵌入與析出效率,對于制備大容量鋰離子電池特別是固態電池具有重要意義。
聲明:
“以石墨烯為骨架的硅碳薄膜負極及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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