本發明為一種Zr?Si?C陶瓷先驅體的常溫常壓合成方法,包括以下步驟:(1)在惰性氣氛保護下,將二甲基二茂鋯溶于有機溶劑中,攪拌并加入有機鋰化合物、配體化合物,干燥得到活性二茂鋯鋰鹽;(2)在惰性氣體氣氛保護下,用有機溶劑溶解活性二茂鋯鋰鹽,攪拌并加入鹵代硅烷單體,發生聚合反應,滴加終止劑終止反應,經過濾、濃縮、純化、干燥,即得到Zr?Si?C陶瓷先驅體。本發明方法無需高溫、低溫、高壓、通電等條件,在常溫常壓下即可進行反應,采用活性高的二甲基二茂鋯、較便宜且較安全的正丁基鋰與鹵硅烷單體反應,通過兩步法制備Zr?Si?C陶瓷先驅體,方法簡便、科學合理。采用本方法合成的Zr?Si?C陶瓷先驅體多種多樣,可用于制備種類繁多的Zr?Si?C陶瓷。
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“Zr-Si-C陶瓷先驅體的常溫常壓合成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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