本發明公開了一種(101)晶面擇優生長的SnS2納米片負極材料的制備方法。本研究以無機錫鹽為錫源,以有機硫化物為硫源,以聚乙二醇為添加劑,通過簡單的溶劑熱法一步制備出以(101)晶面擇優生長的SnS2納米片。這些以(101)晶面為裸露表面的納米片,在充放電過程中可以提供充足的電化學活性位點,縮短鋰離子的擴散路徑,加快電化學反應動力學,從而使得電極的倍率性能優異。本發明的優點在于(101)晶面擇優生長的SnS2納米片的制備工藝簡單易行,并可以應用到其他層狀物質的擇優生長。此方法制備的(101)晶面擇優生長的SnS2納米片具有優異的倍率性能,是一種潛在的高性能鋰離子電池負極材料,有望廣泛應用于各種便攜式電子設備、電動汽車以及航空航天等領域。
聲明:
“(101)晶面擇優生長的SnS2納米片負極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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