本發明是一種LAF系列晶體的坩堝下降生長方 法, 其特征在于, 采取低溫固相氟化處理的方法和軟坩堝下降方法。以NH4F為氟化劑, 在80~150℃的溫度下加熱進行為期3~4周的低溫減壓脫水, 然后在300℃左右經24小時的減壓氟化, 再在560度以上的溫度下抽真空燒結, 軟坩堝下降方法是以鉑金薄片在0.06——0.15mm厚度制作坩堝, 其尺寸為φ8——25mm, X250——300mm, 晶體生長界面溫度為770——820℃, 溫度梯度控制在20——30℃/cm左右, 向上向下逐步減小, 生長速度每天5——10mm, 直至生長完成。
聲明:
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