LiNbO3/III族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法,采用金屬有機物化學氣相淀積方法在(0001)面藍寶石襯底上先生長AlN/AlGaN等異質結構材料作為緩沖層或復合襯底;然后在此緩沖層采用高純5N的鐵電材料作為靶材,用脈沖激光沉積方法在所述異質結構緩沖層或復合襯底上獲得高質量鐵電材料薄膜;控制生長腔的真空在10-3Torr以上;將襯底溫度升至300-900度,然后向腔內通入高純氧,氧壓控制在5-90帕;調整激光器頻率設置為5HZ,能量為300mJ,并預先將激光預濺射靶材3-5分鐘,清潔襯底表面的污染;最后,將脈沖激光聚焦于靶材上,打開靶源在異質結構復合襯底生長LiNbO3/III族氮化物異質結構鐵電半導體薄膜。
聲明:
“鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)