本發明提供一種TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖劑及其制備方法與制備裝置系統,所述制備方法包括以下步驟:(1)使Li4SiO4顆粒在保護氣氛中處于流化狀態;(2)在步驟(1)持續進行的基礎上,混合Li4SiO4顆粒與碳源氣體,得到C包覆Li4SiO4顆粒;(3)在步驟(1)持續進行的基礎上,混合步驟(2)所得C包覆Li4SiO4顆粒、鈦源氣體與氮源氣體;(4)氣固分離后得到TiN/C包覆Li4SiO4氚增殖劑。所述裝置系統包括料倉、流化床包覆裝置、鈦源氣化裝置、產品收集裝置與尾氣處理裝置。本發明克服了Li4SiO4對包層材料的腐蝕,同時提升了鋰基陶瓷氚增殖劑在He?H2/H2O環境中的穩定性。
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“TiN/C包覆正硅酸鋰氚增殖劑及其制備方法與制備裝置系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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