本實用新型公開了鈮酸鋰高頻微型電光調制器芯片結構,所述調制器芯片結構包括:共面行波電極、二氧化硅緩沖層、光波導層和鈮酸鋰晶體層;其中,所訴光波導層制備于所述鈮酸鋰晶體層上,所述共面行波電極位于所述鈮酸鋰晶體層的上表面,所述二氧化硅緩沖層位于所述鈮酸鋰晶體層的下表面;所述共面行波電極包括中心電極和兩偏電極,所述中心電極位于所述兩偏電極的中間位置。本實用新型的有益效果是,通過在波導底層加入二氧化硅絕緣層,可以減小微波損耗,提高電場作用效率,實現較低的半波電壓,或減小器件的尺寸;利用薄膜化芯片,減小或去除行波電極與鈮酸鋰晶片之間二氧化硅緩沖層,可有效提高電光轉換效率。
聲明:
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