本發明提供一種高致密,大晶粒,四方結構銅鋅錫硫薄膜材料的制備方法,屬于半導體光電材料和新能源材料領域,其特征是以醋酸銅(Cu(CH3OO)2·H2O)、醋酸鋅(Zn(CH3COO)2)、氯化錫(SnCl2)、硫脲(CN2H4S)等四種化合物為原料,利用旋涂法制成銅鋅錫硫薄膜后,通過密封石英管高溫硫化過程制備出高致密度、結晶質量好的銅鋅錫硫薄膜材料,本方法具有制備工藝簡單,反應時間短,成分和結構可控,成本低廉,生產過程無污染等優點,可用于大批量銅鋅錫硫薄膜光伏電池吸收材料的生產。
聲明:
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