本發明屬于半導體薄膜制備技術和新能源開發的領域,公開了一種三氧化鎢半導體薄膜及其制備方法和應用。該方法包括:制備三氧化鎢漿料;FTO導電玻璃的前期表面洗滌處理;以絲網印刷的方法在FTO基底上印刷三氧化鎢漿料;對這種印刷有三氧化鎢漿料的基底進行退火處理得到三氧化鎢半導體薄膜。本發明的三氧化鎢半導體薄膜制備方法工藝簡單、成本低廉,可以直接得到厚度均勻、結構完整的半導體薄膜。WO3具有化學穩定性好,禁帶寬度較低,價格低廉等優點,在染料敏化太陽能電池和薄膜太陽能電池制作應用中具有良好的前景。
聲明:
“三氧化鎢半導體薄膜及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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