本發明公開了一種基于表面氫氧殼層調控的光電極及其制備方法,屬于無機光電極材料制備領域。本發明選取FTO、ITO、金屬片等導電材料用作電極基底,通過水熱法、電化學沉積、旋涂提拉等方法生長均勻致密和結晶良好的納米結構薄膜,通過真空、惰性或還原氣氛煅燒在電極中引入氧空位缺陷,并進一步采用光輻照下的電化學處理實現缺陷的深度分布調控,最后利用電極體系進行電極表面電還原處理,協同發揮深度分布的氧空位層分離電荷和氫化層的表面助催化作用,獲得電極光電催化活性和運行穩定性的提高。本發明制備的電極光電催化活性高、成本低、易于實現循環周期內穩定運行,有望在環境修復和分解水制取新能源等領域獲得應用。
聲明:
“基于表面氫氧殼層調控的光電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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