本發明屬于電力電子技術領域,具體為一種高效率高功率密度GaN全橋逆變器模塊,包括控制器、第一GaN半橋電路(1)、第一電感(L1)、第一電容(C1)、第二GaN半橋電路(2)、第二電感(L2)、第二電容(C2)、輸出電容C3、檢測電路和反饋電路。本發明通過采用LGA封裝的GaN?HEMT器件實現全橋逆變器的高頻化,進一步為提高功率等級采用多管并聯結構,為提高可靠性采用雙面布局結構對柵驅動電路、HEMT器件、電源母線和散熱布局進行優化設計,從而實現逆變器模塊的高頻化和小型化,進一步實現高密度功率集成和高效率,可以廣泛應用于各類新能源并網逆變系統中。
聲明:
“高效率高功率密度GaN全橋逆變器模塊” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)