本發明涉及一種基于磁控濺射法的CZTS疊合吸收層及其制備方法,屬于光伏材料與器件新能源技術領域。本發明的CZTS疊合吸收層采用磁控濺射法制備而得,由下而上依次為襯底,摻Fe的Cu2ZnSnS4吸收層,未摻雜的Cu2ZnSnS4吸收層,摻Ge的Cu2ZnSnS4吸收層。本發明以CZTS材料為基體,采用磁控濺射法,通過不同元素的替位摻雜實現對不同帶隙變化的控制,可以選擇性的吸收和轉換太陽光譜的不通區域,實現對太陽光的高效利用。
聲明:
“基于磁控濺射法的CZTS疊合吸收層及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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