本發明屬于半導體光電探測器技術領域,公開了一種肖特基型鈣鈦礦光電探測器及其制備方法,其中肖特基型鈣鈦礦光電探測器包括依次相連的第一金屬電極(1)、鈣鈦礦吸光層(2)、聚酰亞胺PI層(3)和第二金屬電極(4),其中,所述第一金屬電極(1)所采用的金屬材料功函數較高,所述第二金屬電極(4)所采用的金屬材料功函數較低。本發明通過肖特基勢壘對暗電流有很好的抑制作用;同時又通過在鈣鈦礦表面旋涂一層聚酰亞胺(PI)薄膜,利用聚酰亞胺(PI)薄膜的對于鈣鈦礦表面的鈍化和阻擋金屬與鈣鈦礦的反應作用來降低鈣鈦礦光電探測器暗電流和離子遷移,從而有效的抑制鈣鈦礦光電探測器工作時的暗電流過大和暗電流漂移問題。
聲明:
“肖特基型鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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