本發明屬于半導體納米復合材料制備技術領域,特別是涉及一種高溫石墨烯基底上直接生長Ge量子點的方法。本發明采用濺射沉積技術,在高溫條件下的石墨烯基的襯底上,直接濺射生長Ge量子點,濺射生長時間為100?s~500?s。本發明通過工藝簡單的濺射沉積技術在高溫石墨烯基的襯底上直接生長出了結晶性好、高密度、尺寸均勻的Ge量子點,有效地解決了室溫下制備的Ge點不結晶、低密度、尺寸大、均勻性差的不足,為高性能紅外光電探測器等半導體光電器件的研發提供了有效途徑。
聲明:
“高溫石墨烯基底上直接生長Ge量子點的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)