本發明涉及一種基于激光誘導燒蝕的SiCf/SiC銑削方法和裝置,方法為:確定SiCf/SiC復合材料的切削余量d后,對其進行激光誘導燒蝕處理(即用高激光功率密度的激光束直接掃描材料表面),使其表面厚度為d1(d?d2=d1,d2為確保燒蝕產物和熱影響層材料被完全切除的無影響層材料的最小徑向切寬)的待去除材料變成粉末狀的激光誘導燒蝕產物,再對其進行銑削加工;裝置包括發生裝置(用于形成所述激光束)、調整裝置(用于調整激光束與材料的相對位置,使得激光束沿一定的路徑掃描在材料上)、夾具(用于將材料安裝于機床上)、刀具和機床(用于對材料進行銑削加工)。本發明的方法縮短了加工時間,裝置的結構簡單易操作。
聲明:
“基于激光誘導燒蝕的SiCf/SiC銑削方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)