本發明屬于金屬復合材料及其制備技術領域,提供了一種多孔Cu?SiC復合膜及其制備方法,其制備方法包括如下步驟:S1、準備基片;S2、安裝靶位;S3、制備Cu3N?SiC復合膜;S4、制備多孔Cu?SiC復合膜,將Cu3N?SiC復合膜置于惰性氣體環境進行退火處理,得到均勻分布的多孔Cu?SiC復合膜。本發明通過利用Cu3N薄膜的較低的分解溫度,分解為單質銅和氮氣,雙靶共濺射,可以使得方便改變銅靶的濺射功率,有效調控薄膜中銅或SiC的含量,方便、有效調控復合膜內SiC的體積分布、粒度大小和金屬的成份,工藝簡單,膜與基片結合緊密、孔徑細小均勻,Cu?SiC薄膜孔隙分布均勻。
聲明:
“多孔Cu-SiC復合膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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