一種使用高熵合金連接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法,涉及一種連接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法。本發明是要解決目前SiC陶瓷的連接技術在核應用背景下效果較差的技術問題。本發明中使用的連接溫度較低,并未達到AlCoCrFeNi2.1高熵合金的熔點,主要通過高熵合金中的Ni和Cr元素與SiC反應,在界面生成局部瞬時液相實現連接,可以實現低溫連接和高溫使用。本發明利用具有優異的高溫性能和抗輻照性能的AlCoCrFeNi2.1高熵合金作為連接材料來連接SiC陶瓷或SiCf/SiC復合材料,有望使得該焊接結構在核電領域運用,提高核電包殼材料的可靠性。
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“使用高熵合金連接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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